| 核心观点 NAND： 集邦咨询预估Q2 存储器合约价涨幅将扩大。根据DRAMexchange，上周（20250421-0425）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至2.56%，平均涨跌幅为1.26%。其中3个料号价格持平，19 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，集邦咨询表示，受到积极备货潮带动，第二季的DRAM 和NAND Flash 合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。 DRAM： 集邦咨询称存储供应商对DRAM 提价8-10%。根据DRAMexchange，上周（20250421-0425）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.63%至4.84%，平均涨跌幅为1.98%。上周16 个料号呈上涨趋势，2 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据集邦咨询内存现货价格趋势报告，在DRAM 方面，OEM 厂商正在逐步增加库存水平，以确保在关税政策明朗之前拥有安全的库存量，而DRAM 供应商也同步上调了DRAM 产品的现货价格，幅度在8-10%之间。 HBM：SK 海力士维持HBM 需求同比增长一倍预期不变。根据CFM闪存市场报道，对于HBM，SK 海力士维持2025 年需求同比增长一倍的预期。12 层HBM3E 的过渡按计划进行，12 层HBM3E 的销售将稳步增长，预计在2025 年第二季度其销售将占HBM3E 总比重的一半以上。另外，2025 年3 月，全球首款12 层HBM 样品已向客户交付，将于2025 年年内投入量产，以满足客户需求。 市场端：存储现货部分资源供应吃紧，推动行业DDR4 和嵌入式LPDDR4X 价格上扬。根据CFM 闪存市场报道， 部分供应端LPDDR4X/DDR4 资源供应吃紧，推动现货市场部分资源价格走强，原材料成本上扬传导至现货成品端，部分存储厂商尝试调涨行业内存条和LPDDR4X 成品价格，但由于终端客户销售动能不足，拉货意愿不强，价格接受度低，使得存储价格上涨幅度较为有限。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 |
