| 事件： 美光于9 月24 日公布FY25Q4 财报（注：截至8 月31 日的3 个月期间），营收113.2 亿美元，同比+46%/环比+22%；毛利率45.7%，同比+9.2pcts/环比+6.7pcts。 评论： 1、FY25Q4 收入和毛利率均超指引上限，盈利能力同环比大幅提升。 FY25Q4 收入113.2 亿美元，同比+46%/环比+22%，超指引上限（107±3 亿美元）；毛利率45.7%，同比+9.2pcts/环比+6.7pcts，超指引上限（42%±1pct）；净利率31%，同比+14pcts/环比+7.6pcts；EPS 3.03 美金，超指引预期。 2、DRAM 位元出货量及ASP 环比增长，NAND 位元出货量下降ASP 增长。 1）按产品划分：①DRAM 收入89.84 亿美金，同比+69%/环比+27%，创单季历史新高，位元出货量环比增长低十位数百分比，ASP 环比增长低双位数百分比，受益于行业DRAM 供应紧张、定价执行及有利的产品组合；②NAND 收入22.52 亿美金，同比-5%/环比+5%；位元出货量环比下降中个位数百分比，ASP环比增长高个位数百分比；2）按业务划分：①云存储部门（CMBU）收入45.4亿美金，同比+214%/环比+34%，受强劲的芯片需求与HBM 营收推动，HBM营收创新季度纪录；②核心数据部门（CDBU）收入15.8 亿美金，同比-23%/环比+3%；③移动与客户端部门（MCBU）收入37.6 亿美金，同比+25%/环比+16%，系DRAM 出货量增加及价格改善推动；④汽车与嵌入式部门（AEBU）收入14.3 亿美金，同比+17%/环比+27%，系位元出货量增加驱动。 3、FY25Q4 HBM 营收近20 亿美元，上修服务器及PC 2025 全年市场规模。 1）数据中心：2025 财年数据中心收入占比56%、毛利率52%，其中FY25Q4LPDDR5 环比增长超50%，HBM 营收近20 亿美元，市场份额持续提升，扩大至六家客户并预计未来几个月完成HBM4 协议签署，售罄CY2026 年HBM 剩余产能，HBM4 预计2026 年量产爬坡，和台积电合作HBM4E 预计2027 年推出。预计2025 年服务器总出货量增长约10%，传统服务器从原先持平上调至中个位数百分比增长，预计AI 服务器显著增长；2）PC：上调2025 年PC 出货量增长至中个位数百分比，增长系Windows 10 的生命周期终止以及AI PC的加速普及；3）手机：维持2025 年智能手机出货量增长低个位数百分比，预计搭载12GB 以上内存智能手机占比持续提升；4）汽车：ADAS 和AI 车载娱乐系统推动内存需求。 4、指引DRAM 及NAND 市场持续向好，FY2026 年资本开支同比增长。 1）FY26Q1 指引：按NON-GAAP 口径，指引FY26Q1 收入125±3 亿美元，中值同比+44%/环比+10%；毛利率51.5%±1pct，中值同比+12.0pcts/环比+5.8pcts；EPS 3.75±0.15 美元。2）需求：预计2025 年DRAM 位元需求增长率高十位数百分比，NAND 位元需求增长率低至中十位数百分比，中期DRAM和NAND 位元需求增长CAGR 均达中十位数百分比。3）供给及库存：DRAM库存紧张，预期行业DRAM 供应将进一步紧张，NAND 市场状况将持续走强。 4）资本支出：FY2025 资本支出138 亿美元，随着我们持续进行1γ DRAM及HBM 相关投资，指引FY2026 资本支出高于FY2025，DRAM 前道设备与晶圆厂建设将推动2026 财年资本支出增加。 风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM 和NAND 景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。 |
