三星发布3D内存新路线图 力夺AI内存市场领先

神童股手

　　三星电子公布了最新的3D内存技术路线图，旨在人工智能领域取得领先。该公司展示的新系统将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器之上，性能达到下一代HBM5的约八倍。

　　
　　通过先进晶圆键合技术，这一系统内存密度超过HBM5的十倍以上，还支持定制化设计。三星计划今年下半年量产HBM4，但尚未给出HBM5及未来技术的明确量产时间。

　　
　　目前内存市场规模接近万亿美元，三星正与SK海力士、美光科技展开激烈竞争。谁能更早推出下一代架构，谁就能在数据中心大单争夺中占据优势。

　　
　　三星将新系统命名为zHBM，旨在成为AI基础设施的全面供应商。同时推出zNAND-O新一代NAND解决方案，更好支持实时数据密集型AI应用。

　　
　　此外，三星还发布业界首款V10 BV-NAND架构，层数超过400层，存储密度提升近60%，读写速度显著改善。公司同时公布了下一代处理内存芯片及高容量企业存储产品的路线图。