需求激增、库存枯竭、存储已成“卖方市场”，大摩：投资者不应因“恐高”而离场 大摩表示，AI浪潮正驱动存储芯片进入强劲上行周期。需求激增与供应滞后导致DRAM库存降至两周以下，市场已转为“卖方市场”，厂商报价涨幅高达25%。此轮涨价远未见顶，价格具备翻倍潜力，并强调“停留在市场中的时间比择时更重要”，投资者不应因“恐高”而错过后续行情。 AI引发的需求浪潮正在重塑全球存储市场。 据追风交易台消息，10月19日，摩根士丹利在最新报告中指出，存储行业正处于一轮强劲上行周期的早期至中期阶段，尽管相关股票已创下新高，但最好的上涨可能尚未到来，投资者不应因“恐高”而过早离场。 供不应求加剧，转为卖方市场 通过渠道调查，摩根士丹利发现，受美国云服务客户订单激增的推动，存储芯片生产商已对2025年第四季度的DRAM和NAND闪存报出高达25%的涨价幅度。这表明市场正迅速向卖方倾斜，价格上涨动能强劲。 报告强调，当前传统内存的供需失衡状况比预期更为严峻。DRAM生产商的库存已骤降至两周以下，NAND闪存库存也回落至长期平均水平之下。 该行预计，新产能追上需求仍需4到6个季度，供应滞后问题将持续存在。这种环境通常会促使客户建立缓冲库存，从而进一步巩固卖方市场格局。 “我们认为，当前的上涨仍处于早期到中期阶段……价格重返历史峰值意味着有从当前位置翻倍的潜力。我们没有看到任何证据表明，季节性需求疲软会影响到2026年第一季度的存储定价……这些情况通常会促使客户建立缓冲库存，从而强化卖方市场。”  价格还能涨多高？大摩称远未见顶 摩根士丹利认为，当前的价格距离历史峰值仍有相当大的上涨空间。 NAND闪存：鉴于AI驱动的强劲需求，其价格有望从当前水平翻倍，重返2022年第二季度约0.13美元/GB的峰值。 DRAM内存：服务器内存模组的价格曾在2018年第一季度达到10美元/GB的峰值，而目前的谈判价格约为5.4美元/GB。报告认为，考虑到AI内存的潜在市场规模(TAM)预计到2027年将超过传统通用DRAM市场，本轮周期的价格峰值完全有理由超越以往。  克服“恐高症”，盈利动能是关键 针对投资者普遍存在的“恐高”心理，大摩直言不讳地指出，这是典型的认知偏误。 “新高通常会带来更高的高点，且这一次有充足的盈利作为支撑；身处市场之中比试图把握市场时机更重要。我们相信，这轮上涨最好的日子可能还在后头。” 报告强调，驱动股价的核心是盈利动能，而非单纯的AI叙事。以SK海力士和三星电子为例，过去12个月，SK海力士股价上涨约140%，背后是市场对其盈利预期上调了62%；相比之下，三星电子股价上涨约64%，盈利预期仅上调14%。这种差异清晰地表明，“更强劲的盈利修正，带来更强劲的股价回报”。 分析师Shawn Kim和Duan Liu在报告中写道，试图精准把握市场时机几乎是不可能的，历史周期表明，在上涨趋势中“留在市场的时间比精准择时更重要”。  □ .龙.玥 .华.尔.街.见.闻 |
