三星海力士等巨头退出利基存储
近期，以三星、SK海力士、美光为代表的国际存储巨头正加速退出利基存储（Specialty/Niche Memory）市场，将产能全面转向HBM（高带宽内存）和DDR5等高端产品，引发了利基存储市场的结构性缺货和价格暴涨。
各厂商退出情况
- 三星：2025年一季度起逐步终结持续24年的2D NAND生产，永久关停相关产线，并将设施改造为DRAM后端工厂；同时从2025年起不再承接利基存储新订单。
- SK海力士：压缩利基型DDR3、小容量DDR4等产能，将70%–90%先进产能转向HBM和高端3D NAND，成熟产线物理性关闭、永久退出。
- 美光：关停8英寸NOR Flash老旧制程产线，大幅削减宽温型中小容量NOR存储产能（供给缩减25%以上），明确不再承接中小批量定制化利基订单。
- 铠侠：发布EOL通知，32nm至15nm制程的2D NAND全系产品进入停产流程，最后下单日期为2026年9月30日，2028年底全面停止出货。
造成的市场影响
供需缺口严重
根据TrendForce集邦咨询数据，2026年全球MLC NAND利基存储产能同比骤降41.7%，具体缺口如下：
- SLC NAND：全球仅剩3–4家可稳定供货，缺口超50%
- 利基DRAM（DDR3/小容量DDR4）：供需缺口19%–50%，2027年前无新增产能
- NOR Flash：高容量车规型号供不应求，缺口30%+
价格暴涨
- MLC NAND在约一年时间内累计涨幅达280%
- SLC NAND预计2026年二季度至四季度仍有约120%涨幅
- Consumer DRAM一季度单季涨幅75%–80%，创近五年最大
- 部分稀缺型号现货价格最高涨幅接近700%
为什么巨头要退出？
核心原因是AI算力浪潮驱动。HBM、DDR5和高端服务器DRAM需求爆发式增长，利润远高于利基产品。巨头们将研发、晶圆产能、设备资源集中投向数据中心AI存储，对低毛利、长交付周期的工业级利基存储采取收缩策略。
国产厂商迎来机遇
国际巨头退出后，中国厂商正加速填补空白：
- 兆易创新：NOR Flash全球市占率约18.5%排名第二，DRAM全球第七，计划5年内在中国利基DRAM市场拿下至少1/3份额（最近三个月涨的太多了尽量避开可当风向标）
- 东芯股份：SLC NAND一季度涨价50%以上（涨幅不大今年扭亏为盈可关注）
- 北京君正、普冉股份、聚辰股份等也在各自擅长领域受益
总结
这是一场由AI产业驱动的存储市场结构性变革。巨头退出利基市场并非短期策略调整，而是产线物理性关停、不可逆的产能转移。利基存储虽然市场规模仅占DRAM的7%左右，但广泛应用于汽车电子、工业控制、网通设备、边缘AI等关键领域，需求刚性且稳定。供需失衡的局面预计将持续到2027–2028年，为国产存储厂商提供了难得的战略窗口期。
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